Definición: ¿Qué significa DRAM síncrona (SDRAM)?
La memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) es una memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) con una interfaz síncrona con el bus del sistema que transporta datos entre la CPU y el concentrador del controlador de memoria. SDRAM tiene una interfaz síncrona de respuesta rápida, que está sincronizada con el bus del sistema. SDRAM espera la señal del reloj antes de responder a las entradas de control.
La SDRAM precedió a la tasa de datos doble (DDR). La interfaz más nueva de DRAM tiene una tasa de transferencia de datos doble utilizando los flancos ascendente y descendente de la señal de reloj. Esto se denomina doble bombeo, doble bombeo o doble transición. Hay tres características importantes que diferencian a SDRAM y DDR:
- La principal diferencia es la cantidad de datos transmitidos con cada ciclo, no la velocidad.
- SDRAM envía señales una vez por ciclo de reloj. DDR transfiere datos dos veces por ciclo de reloj. (Tanto SDRAM como DDR usan las mismas frecuencias).
- SDRAM usa un borde del reloj. DDR usa ambos lados del reloj.
La SDRAM tiene un módulo de 64 bits con módulos de memoria dual en línea (DIMM) largos de 168 pines. El tiempo de acceso a la SDRAM es de 6 a 12 nanosegundos (ns). SDRAM es el reemplazo de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) y la RAM EDO. DRAM es un tipo de memoria de acceso aleatorio (RAM) que tiene cada bit de datos en un componente aislado dentro de un circuito integrado. La RAM EDO más antigua se realiza a 66 MHz.
Techinfo explica la DRAM sincrónica (SDRAM)
Con los circuitos electrónicos con reloj más antiguos, la tasa de transferencia era de uno por ciclo completo de la señal del reloj. Este ciclo se llama subida y bajada. Una señal de reloj cambia dos veces por transferencia, pero las líneas de datos no cambian más de una vez por transferencia. Esta restricción puede causar integridad (corrupción de datos y errores durante la transmisión) cuando se utilizan anchos de banda elevados. SDRAM transmite señales una vez por ciclo de reloj. El DDR más nuevo transmite dos veces por ciclo de reloj.
SDRAM es una DRAM mejorada con una interfaz síncrona que espera un pulso de reloj antes de responder a la entrada de datos. SDRAM utiliza una función llamada canalización, que acepta nuevos datos antes de terminar de procesar los datos anteriores. Un retraso en el procesamiento de datos se llama latencia.
La tecnología DRAM se ha utilizado desde la década de 1970. En 1993, Samsung implementó SDRAM con el modelo DRAM síncrono KM48SL2000. En 2000, DRAM fue reemplazada por SDRAM. Al principio, la SDRAM era más lenta que la EDO DRAM en ráfagas debido a las características lógicas adicionales. Pero los beneficios de SDRAM permitieron más de un conjunto de memoria, lo que aumentó la eficiencia del ancho de banda.
Con la introducción de DDR, SDRAM rápidamente comenzó a dejar de usarse porque DDR era más barato y más rentable. La SDRAM usó 168 pines, mientras que el módulo DDR usó 184 pines. Los módulos SDRAM usaron un voltaje de 3.3V y DDR usó 2.6V, produciendo menos calor.